Перевод: с английского на русский

с русского на английский

чистый полупроводник

  • 1 intrinsic semiconductor

    Универсальный англо-русский словарь > intrinsic semiconductor

  • 2 pure semiconductor

    Универсальный англо-русский словарь > pure semiconductor

  • 3 intrinsic semiconductor

    беспримесный полупроводник, чистый полупроводник

    English-Russian scientific dictionary > intrinsic semiconductor

  • 4 B

    1. отношение диаметра проходного сечения к диаметру трубы или трубопровода
    2. оплётка
    3. Допустимый угол перелома продольного профиля проезжей части механизированного моста
    4. ввод (в релейной защите)
    5. бор

     

    бор
    B

    Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
    Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
    Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
    В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
    [ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

    Тематики

    EN

     

    ввод
    -
    [ ГОСТ Р 54325-2011 (IEC/TS 61850-2:2003)]

    Тематики

    EN

     

    оплётка

    [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]

    Тематики

    • электротехника, основные понятия

    EN

     

    отношение диаметра проходного сечения к диаметру трубы или трубопровода

    [А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

    Тематики

    EN

    37. Допустимый угол перелома продольного профиля проезжей части механизированного моста (bп)


    Источник: ГОСТ 22583-77: Мосты механизированные. Термины и определения оригинал документа

    Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > B

  • 5 boron

    1. бор

     

    бор
    B

    Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
    Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
    Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
    В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
    [ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

    Тематики

    EN

    Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > boron

  • 6 intrinsic semiconductor

    1) беспримесный полупроводник

    2) полупроводник чистый

    Англо-русский технический словарь > intrinsic semiconductor

  • 7 ultrapure

    особо чистый, ультрачистый (напр. полупроводник)

    English-Russian electronics dictionary > ultrapure

  • 8 germanium

    1. германий

     

    германий
    Ge

    Элемент IV группы Периодич. системы; ат. н. 32, ат. м. 72,59; тв. вещ-во с металлич. блеском. Природный Ge — смесь пяти стабильных изотопов с массовыми числами 70, 72, 73, 74 и 76. Существование и свойства Ge предсказал в 1871 г. Д. И. Менделеев. В 1886 г. немец, химик К. Винклер обнаружил в минерале аргидите новый элемент, который назвал Ge в честь своей страны. Ge оказался вполне тождественен элементу, предсказанному Д. И. Менделеевым. Общее содержание Ge в земной коре 7 • 104 мае. %, т.е. больше, чем напр. Sb, Ag, Bi. Однако собств. минералы Ge встречаются исключит, редко. Осн. масса Ge рассеяна в земной коре в большом числе горных пород и минералов: в сульфидных рудах цв. металлов, в гранитах, диабазах и др.
    Ge кристаллизуется в кубич. структуру типа алмаза, а = 0,56575 нм. Плотность уте = = 5,327 г/см3 (25 °С), уж = 5,557 г/см3 (1000 °С); tm= 937,5 °С; ^т * 2700 °С. Даже весьма чистый Ge хрупок при комн. темп-ре, но выше 550 °С поддается пластической деформации. Твердость Ge по минералогич. шкале 6—6,5. Ge — типичный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,104 • 10"" Дж или 0,69 эВ (при 25 °С); р0е (высокой чистоты) = 0,60 Ом • м (25 °С). В химич. соединениях Ge обычно проявляет валентности 2 и 4. При нагрев. на воздухе до 500-700 °С окисляется до GeO и GeO2. В пром. практике Ge получают преимущ. из побочных продуктов переработки руд цв. металлов, содержащих 0,001-0,1 % Ge. В кач-ве сырья используют также золы от сжигания угля, пыль газогенераторов, отходы коксохим. пр-ва. Ge - один из наиб, ценных материалов в соврем, полупроводниковой технике (диоды, триоды, и т.п.).
    Перспективны многие сплавы Ge, стекла на основе GeO2 и др.
    [ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

    германий
    Полупроводниковый материал.
    [ http://www.morepc.ru/dict/]

    Тематики

    Синонимы

    • Ge

    EN

    Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > germanium

См. также в других словарях:

  • чистый полупроводник — собственный полупроводник; отрасл. чистый полупроводник Полупроводник, не содержащий доноров и акцепторов …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • чистый полупроводник — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Automatikos terminų žodynas

  • чистый полупроводник — grynasis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Fizikos terminų žodynas

  • Собственный полупроводник — или полупроводник i типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic собственный) это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации… …   Википедия

  • собственный полупроводник — собственный полупроводник; отрасл. чистый полупроводник Полупроводник, не содержащий доноров и акцепторов …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • grynasis puslaidininkis — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Automatikos terminų žodynas

  • pure semiconductor — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Automatikos terminų žodynas

  • reiner Halbleiter — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Automatikos terminų žodynas

  • semi-conducteur pur — grynasis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Automatikos terminų žodynas

  • grynasis puslaidininkis — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Fizikos terminų žodynas

  • pure semiconductor — grynasis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pure semiconductor vok. reiner Halbleiter, m rus. чистый полупроводник, m pranc. semi conducteur pur, m …   Fizikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»